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BTS3110N Datasheet

  • BTS3110N

  • Smart Lowside Power Switch

  • 210.29KB

  • 10頁

  • INFINEON   INFINEON

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HITFET
餂?/div>
=
BTS 3110 N
Smart Lowside Power Switch
Features
Logic Level Input
Input Protection (ESD)
Thermal shutdown
Overload protection
Short circuit protection
Overvoltage protection
Current limitation
Analog driving possible
2
1
VPS05163
Product Summary
Drain source voltage
On-state resistance
Nominal load current
Clamping energy
V
DS
R
DS(on)
I
D(Nom)
E
AS
42
200
1.4
150
V
A
m
mJ
4
3
Application
All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching
or linear applications
碌C compatible power switch for 12 V DC applications
Replaces electromechanical relays and discrete circuits
technology. Fully protected by embedded
V
bb
General Description
HITFET
Current
Limitation
In
Pin 1
Overvoltage-
Protection
Gate-Driving
Unit
Over-
temperature
Protection
ESD
Overload
Protection
Short circuit
Protection
Pin 3
Source
Page 1

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS
protection functions.
M
Drain
Pin 2 and 4 (TAB)
2002-09-04













BTS3110N 產(chǎn)品屬性

  • BTS3110N

  • 4,000

  • 集成電路 (IC)

  • PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān)

  • HITFET®

  • 低端

  • 非反相

  • 1

  • 150 毫歐

  • 1.4A

  • 7.5A

  • 2.2 V ~ 10 V

  • -40°C ~ 150°C

  • 表面貼裝

  • TO-261-4，TO-261AA

  • PG-SOT223-4

  • 帶卷 (TR)

  • BTS3110N-NDBTS3110NNTBTS3110NTBTS3110NTRBTS3110NXTSP000013948SP000292896

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