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BTS118D Datasheet

  • BTS118D

  • Smart Lowside Power Switch

  • 10頁

  • INFINEON   INFINEON

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HITFET
II.Generation BTS 118 D
Smart Lowside Power Switch
Features
Logic Level Input
Input Protection (ESD)
Thermal shutdown with
auto restart
Overload protection
Short circuit protection
Overvoltage protection
Current limitation
Analog driving possible
P-TO252-3-11
Product Summary
Drain source voltage
On-state resistance
Nominal load current
Clamping energy
V
DS
R
DS(on)
I
D(Nom)
E
AS
42
100
2.4
2
V
mW
A
J
Application
All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching
or linear applications
碌C compatible power switch for 12 V DC applications
Replaces electromechanical relays and discrete circuits
General Description
N channel vertical power FET in Smart SIPMOS
technology. Fully protected by embedded
protection functions.
V
bb
M
HITFET
Current
Limitation
In
Pin 1
Drain
Overvoltage-
Protection
Pin 2 and 4 (TAB)
Gate-Driving
Unit
Over-
temperature
Protection
ESD
Overload
Protection
Short circuit
Protection
Pin 3
Source
Complete product spectrum and additional information http://www.infineon.com/hitfet
Page 1
2004-03-05

BTS118D 產(chǎn)品屬性

  • BTS118D

  • 2,500

  • 集成電路 (IC)

  • PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān)

  • HITFET®

  • 低端

  • 非反相

  • 1

  • 70 毫歐

  • 2.4A

  • 15A

  • 2.2 V ~ 10 V

  • -40°C ~ 150°C

  • 表面貼裝

  • TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

  • PG-TO252-3

  • 帶卷 (TR)

  • BTS118D-NDBTS118DNTBTS118DTBTS118DT-NDBTS118DTRBTS118DXTSP000011199SP000292485SP000506212

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