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BTP5401N3 Datasheet

  • BTP5401N3

  • Cystech Electonics Corp. [General Purpose PNP Epitaxial Pla...

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  • CYSTEKEC

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CYStech Electronics Corp.
General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C307N3
Issued Date : 2003.06.27
Revised Date :
Page No. : 1/4
BTP5401N3
Description
鈥?/div>
The BTP5401N3 is designed for general purpose amplification.
鈥?/div>
Large I
C
, I
C( Max)
= -0.6A
鈥?/div>
High BV
CEO
, BV
CEO
= -150V
鈥?/div>
Complementary to BTN5551N3
.
Symbol
BTP5401N3
Outline
SOT-23
B錛欱ase
C錛欳ollector
E錛欵mitter
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pd
R
胃JA
Tj
Tstg
Limits
-160
-150
-5
-0.6
225
556
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
mW
擄C/W
擄C
擄C
BTP5401N3
CYStek Product Specification

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