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BTN5551N3 Datasheet

  • BTN5551N3

  • Cystech Electonics Corp. [General Purpose NPN Epitaxial Pla...

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  • CYSTEKEC

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CYStech Electronics Corp.
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C208N3-H
Issued Date : 2003.06.06
Revised Date :
Page No. : 1/4
BTN5551N3
Description
The BTN5551N3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
鈥?/div>
High collector-emitter breakdown voltage. (BV
CEO
=160V @ I
C
=1mA)
鈥?/div>
Complement to BTP5401N3
Symbol
BTN5551N3
Outline
SOT-23
B錛欱ase
C錛欳ollector
E錛欵mitter
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pd
Tj
Tstg
Limits
180
160
6
600
225
150
-55~+150
Unit
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
BTN5551N3
CYStek Product Specification

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    Cystech Electonics Corp. [General Purpose NPN Epitaxial Pla...
    CYSTEKEC
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