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BTB1386M3 Datasheet

  • BTB1386M3

  • Cystech Electonics Corp. [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar T...

  • CYSTEKEC

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CYStech Electronics Corp.
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C815M3
Issued Date : 2005.03.25
Revised Date : 2005.10.20
Page No. : 1/5
BTB1386M3
Features
鈥?/div>
Low V
CE(sat)
, V
CE(sat)
=-0.25 V (typical), at I
C
/ I
B
= -3A / -60mA
鈥?/div>
Excellent DC current gain characteristics
鈥?/div>
Complementary to BTD2098M3
鈥?/div>
Pb-free package
Symbol
BTB1386M3
Outline
SOT-89
B錛欱ase
C錛欳ollector
E錛欵mitter
B C E
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Note : 1
.
Single Pulse Pw=10ms
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
Pd
Tj
Tstg
Limits
-30
-20
-6
-5
-10
(Note 1)
0.5
2
(Note 2)
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
W
擄C
擄C
2. When mounted on a 40
脳40 脳0.7
mm ceramic board.
BTB1386M3
CYStek Product Specification

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