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BTB1386LN3 Datasheet

  • BTB1386LN3

  • Cystech Electonics Corp. [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar T...

  • CYSTEKEC

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CYStech Electronics Corp.
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C851N3
Issued Date : 2004.02.27
Revised Date : 2004.07.01
Page No. : 1/4
BTB1386LN3
Features
鈥?/div>
Low V
CE
(sat), V
CE
(sat)=-0.6 V (typical), at I
C
/ I
B
= -4A / -0.1A
鈥?/div>
Excellent DC current gain characteristics
鈥?/div>
Complementary to BTD2098LN3
Symbol
BTB1386LN3
Outline
SOT-23
B錛欱ase
C錛欳ollector
E錛欵mitter
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Note :
1. Single Pulse Pw鈮?50碌s, Duty鈮?%.
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(Pulse)
P
D
R
胃JA
Tj
Tstg
Limits
-20
-15
-6
-5
-10
(Note )
225
556
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
mW
擄C/W
擄C
擄C
BTB1386LN3
CYStek Product Specification

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