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BTB1236AM3 Datasheet

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  • Cystech Electonics Corp. [Silicon PNP Epitaxial Planar Tran...

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CYStech Electronics Corp.
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C854M3
Issued Date : 2004.08.20
Revised Date :
Page No. : 1/4
BTB1236AM3
Description
鈥?/div>
High BV
CEO
鈥?/div>
High current capability
Symbol
BTB1236AM3
Outline
SOT-89
B錛欱ase
C錛欳ollector
E錛欵mitter
B C E
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Power Dissipation
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
Limits
-180
-160
-5
-1.5
-3
0.6
1
2
Unit
V
V
V
A
A
W
W
W
擄C/W
擄C/W
擄C/W
擄C
擄C
(Note 1)
(Note 2)
(Note 3)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
胃JA
208
125
(Note 2)
62.5
(Note 3)
Junction Temperature
Storage Temperature
Note :
1. Single Pulse Pw鈮?50碌s, Duty鈮?%.
Tj
Tstg
150
-55~+150
2.
When mounted on FR-4 PCB with area measuring 10脳10脳1 mm.
3
.
When mounted on ceramic with area measuring 40脳40脳1 mm
BTB1236AM3
CYStek Product Specification

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