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BTB1182J3 Datasheet

  • BTB1182J3

  • Cystech Electonics Corp. [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar T...

  • 139.42KB

  • CYSTEKEC

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CYStech Electronics Corp.
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C812J3
Issued Date : 2003.05.25
Revised Date :
Page No. : 1/4
BTB1182J3
Features
鈥?/div>
Low V
CE
(sat), V
CE
(sat)=-0.7 V (typical), at I
C
/ I
B
= -2A / -0.5A
鈥?/div>
Excellent current gain characteristics
鈥?/div>
Complementary to BTD1758J3
Symbol
BTB1182J3
Outline
TO-252
B錛欱ase
C錛欳ollector
E錛欵mitter
B C E
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Power Dissipation (T
C
=25鈩?
Junction Temperature
Storage Temperature
Note
:
Single Pulse , Pw=10ms
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
Tj
Tstg
Limits
-40
-30
-5
-2
-5
(Note)
10
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
BTB1182J3
CYStek Product Specification

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