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BTB1132M3 Datasheet

  • BTB1132M3

  • Cystech Electonics Corp. [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar T...

  • CYSTEKEC

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CYStech Electronics Corp.
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C313M3
Issued Date : 2003.05.13
Revised Date :
Page No. : 1/4
BTB1132M3
Features
鈥?/div>
Low V
CE
(sat), V
CE
(sat)=-0.15V (typical), at I
C
/ I
B
=- 0.5A /- 50mA
鈥?/div>
Complementary to BTD1664M3
Symbol
BTB1132M3
Outline
SOT-89
B錛欱ase
C錛欳ollector
E錛欵mitter
B C E
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current(DC)
Collector Current(Pulse)
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
Pd
Tj
Tstg
Limits
-40
-32
-5
-1
-2.5
0.6
2
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
*1
*2
Note : *1 Single pulse, Pw=10ms
*2 When mounted on a 40
脳
40
脳
0.7mm ceramic board.
BTB1132M3
CYStek Product Specification

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