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BSS83P Datasheet

  • BSS83P

  • SIPMOS Small-Signal-Transistor

  • 9頁

  • INFINEON   INFINEON

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Rev. 1.0
BSS 83 P
SIPMOS
廬
Small-Signal-Transistor
Features
路
P-Channel
路
Product Summary
Drain source voltage
Drain-source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
3
-60
2
-0.33
V
Enhancement mode
W
A
路
Avalanche rated
路
Logic Level
路
dv/dt rated
2
1
VPS05161
Type
BSS 83 P
Package
SOT-23
Ordering Code
Q67041-S1416
Marking
YAs
Pin 1
G
PIN 2
S
PIN 3
D
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
Value
-0.33
-0.27
Unit
A
I
D
T
A
= 25 擄C
T
A
= 70 擄C
Pulsed drain current
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
-1.32
9.5
0.036
6
kV/碌s
T
A
= 25 擄C
I
D
= -0.33 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
W
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
Avalanche energy, single pulse
mJ
I
S
= -0.33 A,
V
DS
= -48 V, di/dt = 200 A/碌s,
T
jmax
= 150 擄C
Gate source voltage
Power dissipation
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
鹵
20
0.36
-55...+150
55/150/56
V
W
擄C
T
A
= 25 擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2003-06-23

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