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BSS159N Datasheet

  • BSS159N

  • SIPMOS Small-Signal-Transistor

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BSS159N
SIPMOS Small-Signal-Transistor
Features
鈥?N-channel
鈥?Depletion mode
鈥?dv /dt rated
廬
Product Summary
V
DS
R
DS(on),max
I
DSS,min
60
8
0.13
V
鈩?/div>
A
SOT-23
Type
BSS159N
Package
SOT-23
Ordering Code
Q67042-S1488
Tape and Reel Information
E6327: 3000 pcs/reel
Marking
SGs
Maximum ratings,
at
T
j
=25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Symbol Conditions
I
D
T
A
=25 擄C
T
A
=70 擄C
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
A
=25 擄C
I
D
=0.23 A,
V
DS
=60 V,
di /dt =200 A/碌s,
T
j,max
=150 擄C
Value
0.23
0.18
0.92
Unit
A
Reverse diode dv /dt
dv /dt
6
kV/碌s
Gate source voltage
ESD sensitivity (HBM) as per
MIL-STD 883
Power dissipation
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
V
GS
鹵20
Class 1
V
P
tot
T
j
,
T
stg
T
A
=25 擄C
0.36
-55 ... 150
55/150/56
W
擄C
Rev. 1.0
page 1
2004-02-19

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    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
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    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
    FAIRCHILD ...
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    SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode L...
    SIEMENS [S...
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    SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode L...
    INFINEON
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    SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode L...
    SIEMENS [S...
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    SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode L...
    INFINEON
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    P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
    PHILIPS
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    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD
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    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    FAIRCHILD ...
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    P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
    PHILIPS [P...
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    SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode L...
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    SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)
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