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BSP613P Datasheet

  • BSP613P

  • SIPMOS Small-Signal-Transistor

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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BSP613P
SIPMOS
廬
Small-Signal-Transistor
Feature
鈥?/div>
P-Channel
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
鈥?/div>
Ideal for fast switching buck converter
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
-60
0.13
-2.9
SOT-223
V
鈩?/div>
A
Drain
pin 2,4
Type
BSP613P
Package
SOT-223
Ordering Code
Q67040-S4190
Gate
pin1
Source
pin 3
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
T
A
=25擄C
T
A
=70擄C
Value
-2.9
-2.3
-11.6
150
0.18
6
鹵20
1.8
-55... +150
55/150/56
Unit
A
I
D
Pulsed drain current
T
A
=25擄C
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
Avalanche energy, single pulse
I
D
=2.9 A ,
V
DD
=-25V,
R
GS
=25鈩?/div>
mJ
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S
=2.9A,
V
DS
=-48V, di/dt=-200A/碌s,
T
jmax
=150擄C
kV/碌s
V
W
擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
A
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2004-06-02

BSP613P 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • SIPMOS?

  • 卷帶（TR）

  • 停產(chǎn)

  • P 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 60 V

  • 2.9A（Ta）

  • 10V

  • 130 毫歐 @ 2.9A，10V

  • 4V @ 1mA

  • 33 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 875 pF @ 25 V

  • -

  • 1.8W（Ta）

  • -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 表面貼裝型

  • PG-SOT223-4-21

  • TO-261-4，TO-261AA

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  • 型號
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    描述
    廠商
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    PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current L...
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    PHILIPS [P...
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    PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current L...
    SIEMENS [S...
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    SIPMOS Small-Signal-Transistor
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    SIPMOS Small-Signal-Transistor
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    MEDIUM POWER PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
    MOTOROLA
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    MEDIUM POWER PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
    MOTOROLA [...
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    TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP Gener...
    PHILIPS

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