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BSP280 Datasheet

  • BSP280

  • IGBT Transistor (N channel MOS input voltage-controlled High...

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IGBT Transistor
BSP 280
Preliminary Data
q
q
q
q
q
q
q
q
V
CE
1000 V
I
C
2.5 A
N channel
MOS input (voltage-controlled)
High switch speed
Very low tail current
Latch-up free
Suitable freewheeling diode BAX 280
Type
Ordering Code Tape and Reel
Information
E6327: 1000 pcs/reel
Pin Configuration
1
G
2
C
3
E
4
C
Marking
BSP 280
Package
SOT-223
BSP 280 Q67000-S279
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
2.5
1.5
0.5
3.0
Unit
A
Continuous collector current
T
S
= 25 藲C
Soldering point,
T
S
= 80 藲C
Pulsed collector current
Soldering point,
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Power dissipation
Soldering point,
Ambient
Thermal resistance
1)
I
C
Continuous collector current ambient,
T
A
= 80 藲C
I
C
I
C puls
T
S
= 80 藲C
V
CE
V
GE
P
tot
T
S
= 80 藲C
T
A
= 25 藲C
T
j
,
T
stg
R
thJA
R
thJS
鈥?/div>
鈥?/div>
chip-ambient
chip-soldering point
10
1.8
鈥?40 鈥?+ 150
70
6
E
40/150/56
藲C
K/W
鈥?/div>
1000
鹵
20
W
V
Operating and storage temperature range
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
IGBT
= Insulated Gate Bipolar Transistor
1)
Transistor on epoxy pcb 40 mm
脳
40 mm
脳
1.5 mm with 6 cm
2
copper area for drain connection.

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    NPN high-voltage transistors
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  • 英文版
    NPN high-voltage transistors
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    P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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    P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
    PHILIPS
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    NPN Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
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    P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
    PHILIPS
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    SIPMOS Small-Signal Transistor
    INFINEON
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    SIPMOS Small-Signal Transistor
    SIEMENS [S...
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