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BSO615N Datasheet

  • BSO615N

  • SIPMOS Small-Signal-Transistor

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary Data
SIPMOS
廬
Small-Signal-Transistor
Features
鈥?/div>
Dual N Channel
鈥?/div>
Enhancement mode
BSO 615N
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
60
0.15
2.6
V
鈩?/div>
A
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
Logic Level
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
BSO 615N
Parameter
Continuous drain current,
one channel active
Pulsed drain current,
one channel active
Package
SO 8
Symbol
Ordering Code
Q67041-S2843
Value
2.6
10.4
60
2.6
0.18
6
mJ
A
mJ
kV/碌s
Unit
A
Maximum Ratings,
at
T
j = 25 藲C, unless otherwise specified
I
D
I
Dpulse
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
A
= 25 藲C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 2.6 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
Avalanche current,periodic limited by
T
jmax
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S
= 2.6 A,
V
DS
= 40 V, di/dt = 200 A/碌s,
T
jmax
= 150 藲C
Gate source voltage
Power dissipation,
one channel active
V
GS
P
tot
T
j
T
stg
鹵20
2
-55 ... +150
-55 ... +150
55/150/56
V
W
藲C
T
A
= 25 藲C
Operating temperature
Storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Data Sheet
1
05.99

BSO615N 產(chǎn)品屬性

  • 2,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • SIPMOS®

  • 2 個(gè) N 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 60V

  • 2.6A

  • 150 毫歐 @ 2.6A，4.5V

  • 2V @ 20µA

  • 20nC @ 10V

  • 380pF @ 25V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • PG-DSO-8

  • 帶卷 (TR)

  • BSO615NINTR

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