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BSO612CV Datasheet

  • BSO612CV

  • SIPMOS Small-Signal-Transistor

  • 159.39KB

  • 13頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary data
BSO 612 CV
SIPMOS
廬
Small-Signal-Transistor
Features
鈥?/div>
Dual N- and P -Channel
鈥?/div>
Enhancement mode
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state
resistance
Continuous drain current
N
P
-60
0.3
-2
V
鈩?/div>
A
V
DS
R
DS(on)
I
D
60
0.12
3
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
BSO 612 CV
Package
SO 8
Ordering Code
Q67041-S4015
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
N
Continuous drain current
Value
P
Unit
A
I
D
3
2.4
-2
-1.6
-8
T
A
= 25 擄C
T
A
= 70 擄C
Pulsed drain current
I
D puls
E
AS
12
T
A
= 25 擄C
Avalanche energy, single pulse
mJ
47
-
-
70
0.2
kV/碌s
6
-
-
6
鹵20
2
V
W
擄C
I
D
= 3 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
I
D
= -2 A,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt,
T
jmax
= 150 擄C
E
AR
dv/dt
0.2
I
S
= 3 A,
V
DS
= 48 V, di/dt = 200 A/碌s
I
S
= -2 A,
V
DS
= -48 V, di/dt = -200 A/碌s
Gate source voltage
Power dissipation
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
鹵20
2
T
A
= 25 擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
-55...+150
55/150/56
Page 1
1999-09-22

BSO612CV 產(chǎn)品屬性

  • 2,500

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • SIPMOS®

  • N 和 P 溝道

  • 標準型

  • 60V

  • 3A，2A

  • 120 毫歐 @ 3A，10V

  • 4V @ 20µA

  • 15.5nC @ 10V

  • 340pF @ 25V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • P-DSO-8

  • 帶卷 (TR)

  • BSO612CVINTRSP000012292

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