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BSO604NS2 Datasheet

  • BSO604NS2

  • OptiMOS Power-Transistor

  • 241.66KB

  • 8頁(yè)

  • INFINEON   INFINEON

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BSO604NS2
OptiMOS
錚?/div>
Power-Transistor
Feature
鈥?/div>
Dual N-Channel
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
55
35
5
P-DSO-8 -7
V
m鈩?/div>
A
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Logic Level
鈥?50 擄C
operating temperature
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
BSO604NS2
Package
P-DSO-8 -7
Ordering Code
Q67060-S7309
Marking
2N604L
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
T
A
=25擄C,
one channel active
T
A
=70擄C,
one channel active
Value
5
4
Unit
A
I
D
Pulsed drain current,
one channel active
T
A
=25擄C
I
D puls
E
AS
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
20
90
6
鹵20
2
-55... +150
55/150/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
Avalanche energy, single pulse
I
D
=5 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25鈩?/div>
Reverse diode dv/dt
I
S
=5A,
V
DS
=44V, di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=150擄C
Gate source voltage
Power dissipation,
one channel active
T
A
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2003-10-28

BSO604NS2 產(chǎn)品屬性

  • 2,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • OptiMOS™

  • 2 個(gè) N 溝道（雙）

  • 邏輯電平門(mén)

  • 55V

  • 5A

  • 35 毫歐 @ 2.5A，10V

  • 2V @ 30µA

  • 26nC @ 10V

  • 870pF @ 25V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • P-DSO-8

  • 帶卷 (TR)

  • BSO604NS2-NDBSO604NS2NTBSO604NS2TBSO604NS2TRBSO604NS2XTSP000396268

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