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BSO4410 Datasheet

  • BSO4410

  • OptiMOS Small-Signal-Transistor

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary data
OptiMOS
=
Small-Signal-Transistor
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Excellent Gate Charge x
R
DS(on)
product (FOM)
150擄C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
Ideal for fast switching applications
Package
SO 8
Ordering Code
Q67042-S4096
Q67042-S4044-A
Marking
4410
BSO4410
I
D
11.1
A
Type
BSO4410
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
A
=25擄C
T
A
=70擄C
Symbol
I
D
Value
11.1
8.9
Unit
A
Pulsed drain current
T
A
=25擄C
I
D puls
E
AS
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
44.5
126
6
鹵20
2.5
-55... +150
55/150/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv/dt
Gate source voltage
Power dissipation
T
A
=25擄C
I
S
=11.1A,
V
DS
=24V,
di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=150擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1

I
D
=11.1 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Page 1
2001-09-06


Product Summary
V
DS
R
DS(on)
30
13
V
m









BSO4410 產(chǎn)品屬性

  • BSO4410

  • 1

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • OptiMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 13 毫歐 @ 11.1A, 10V

  • 30V

  • 11.1A

  • 2V @ 42µA

  • 21nC @ 5V

  • 1280pF @ 25V

  • 2.5W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC (0.154", 3.90mm 寬)

  • 8-SO

  • 剪切帶 (CT)

  • BSO4410INCT

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