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BSO211P Datasheet

  • BSO211P

  • OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

  • 83.75KB

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Preliminary data
BSO211P
OptiMOS
餂?/div>
-P Small-Signal-Transistor
Feature
鈥?/div>
Dual P-Channel
鈥?/div>
Enhancement mode
鈥?/div>
Super Logic Level (2.5 V rated)
鈥?/div>
150擄C operating temperature
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
Top View
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
8
7
6
5
-20
67
-4.7
V
m鈩?/div>
A
D1
D1
D2
D2
SIS00070
Type
BSO211P
Package
SO 8
Ordering Code
Q67042-S4064
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
A
=25擄C
T
A
=70擄C
Symbol
I
D
Value
-4.7
-3.8
Unit
A
Pulsed drain current
T
A
=25擄C
I
D puls
E
AS
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
-18.8
28
-6
鹵12
2
-55... +150
55/150/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
Avalanche energy, single pulse
I
D
=-4.7 A ,
V
DD
=-10V,
R
GS
=25鈩?/div>
Reverse diode dv/dt
I
S
=-4.7A,
V
DS
=-16V, di/dt=200A/碌s,
T
jmax
=150擄C
Gate source voltage
Power dissipation
T
A
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1
2002-01-22

BSO211P 產(chǎn)品屬性

  • 2,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • OptiMOS™

  • 2 個 P 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 4.7A

  • 67 毫歐 @ 4.7A，4.5V

  • 1.2V @ 25µA

  • 23.9nC @ 4.5V

  • 920pF @ 15V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • P-DSO-8

  • 帶卷 (TR)

  • BSO211PINTR

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