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BSO072N03S Datasheet

  • BSO072N03S

  • OptiMOS2 Power-Transistor

  • 9頁

  • INFINEON   INFINEON

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BSO072N03S
OptiMOS
2 Power-Transistor
Features
鈥?Fast switching MOSFET for SMPS
鈥?Optimized technology for notebook DC/DC
鈥?Qualified according to JEDEC
1
for target applications
鈥?N-channel
鈥?Logic level
鈥?Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
鈥?Very low on-resistance
R
DS(on)
鈥?Avalanche rated
鈥?dv /dt rated
廬
Product Summary
V
DS
R
DS(on),max
I
D
30
6.8
15
V
m鈩?/div>
A
P-DSO-8
Type
BSO072N03S
Package
P-DSO-8
Ordering Code
Q67042-S4208
Marking
72N3S
Maximum ratings,
at
T
j
=25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
10 secs
Continuous drain current
I
D
T
A
=25 擄C
2)
T
A
=70 擄C
2)
Pulsed drain current
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
I
D,pulse
E
AS
dv /dt
V
GS
P
tot
T
j
,
T
stg
T
A
=25 擄C
2)
2.5
T
A
=25 擄C
3)
I
D
=15 A,
R
GS
=25
鈩?/div>
I
D
=15 A,
V
DS
=20 V,
di /dt =200 A/碌s,
T
j,max
=150 擄C
15
12
60
145
6
鹵20
1.56
-55 ... 150
55/150/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
steady state
12
9.6
A
Unit
Rev. 1.11
page 1
2004-02-09

BSO072N03S 產(chǎn)品屬性

  • 2,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • OptiMOS™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 12A

  • 6.8 毫歐 @ 15A，10V

  • 2V @ 45µA

  • 25nC @ 5V

  • 3230pF @ 15V

  • 1.56W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • PG-DSO-8

  • 帶卷 (TR)

  • BSO072N03S-NDBSO072N03SINTRBSO072N03SXTSP000077647

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