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BSO052N03S Datasheet

  • BSO052N03S

  • OptiMOS2 Power-Transistor

  • 9頁

  • INFINEON   INFINEON

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BSO052N03S
OptiMOS
2 Power-Transistor
Features
鈥?Fast switching MOSFET for SMPS
鈥?Optimized technology for notebook DC/DC
鈥?Qualified according to JEDEC
1
for target applications
鈥?N-channel
鈥?Logic level
鈥?Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
鈥?Very low on-resistance
R
DS(on)
鈥?Avalanche rated
鈥?dv /dt rated
廬
Product Summary
V
DS
R
DS(on),max
I
D
30
5.2
17
V
m鈩?/div>
A
P-DSO-8
Type
BSO052N03S
Package
P-DSO-8
Ordering Code
Q67042-S4206
Marking
52N3S
Maximum ratings,
at
T
j
=25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
10 secs
Continuous drain current
I
D
T
A
=25 擄C
2)
T
A
=70 擄C
2)
Pulsed drain current
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
I
D,pulse
E
AS
dv /dt
V
GS
P
tot
T
j
, T
stg
T
A
=25 擄C
2)
2.5
T
A
=25 擄C
3)
I
D
=17 A,
R
GS
=25
鈩?/div>
I
D
=17 A,
V
DS
=20 V,
di /dt =200 A/碌s,
T
j,max
=150 擄C
17
14
68
380
6
鹵20
1.56
-55 ... 150
55/150/56
mJ
kV/碌s
V
W
擄C
steady state
14
11
A
Unit
Rev. 1.11
page 1
2004-03-31

BSO052N03S 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 14 A

  • 5.2 mOhms

  • Single Quad Drain Triple Source

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • DSO-8

  • Reel

  • 7.4 ns

  • - 55 C

  • 1560 mW

  • 7.4 ns

  • 2500

  • 40 ns

  • BSO052N03SXT

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