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BSO-302SN Datasheet

  • BSO-302SN

  • SIPMOS Small-Signal-Transistor

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary Data
SIPMOS
餂?/div>
Small-Signal-Transistor
Features
鈥?/div>
Single N channel
鈥?/div>
BSO 302SN
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
I
D
30
9.8
V
A
Enhancement mode
R
DS(on)
0.013
鈩?/div>
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
Logic Level
鈥?/div>
dv/dt rated
Type
BSO 302SN
Parameter
Continuous drain current
Package
SO 8
Symbol
Ordering Code
Q67041-S4029
Value
9.8
39.2
250
9.8
0.2
6
mJ
A
mJ
kV/碌s
Unit
A
Maximum Ratings,
at
T
j = 25 藲C, unless otherwise specified
I
D
I
Dpulse
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
C
= 25 藲C
Pulsed drain current
T
C
= 25 藲C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 9.8 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
Avalanche current,periodic limited by
T
jmax
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S
= 9.8 A,
V
DS
= 24 V, di/dt = 200 A/碌s,
T
jmax
= 150 藲C
Gate source voltage
Power dissipation
V
GS
P
tot
T
j
T
stg
鹵 20
2
-55 ... +150
-55 ... +150
55/150/56
V
W
藲C
T
C
= 25 藲C
Operating temperature
Storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Data Sheet
1
05.99

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