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BSM75GB170DN2 Datasheet

  • BSM75GB170DN2

  • IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling ...

  • 9頁

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BSM 75 GB 170 DN2
IGBT Power Module
Preliminary data
鈥?Half-bridge
鈥?Including fast free-wheeling diodes
鈥?Package with insulated metal base plate
鈥?R
G on,min
= 22 Ohm
Type
BSM 75 GB 170 DN2
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
Symbol
Values
1700
1700
Unit
V
V
CE
I
C
Package
HALF-BRIDGE 1
Ordering Code
C67070-A2702-A67
1700V 110A
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
鹵 20
A
110
75
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
I
Cpuls
220
150
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Power dissipation per IGBT
P
tot
625
W
+ 150
-55 ... + 150
鈮?/div>
0.2
鈮?/div>
0.63
4000
16
11
F
55 / 150 / 56
-
Vac
mm
K/W
擄C
T
C
= 25 擄C
Chip temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
Semiconductor Group
1
Jul-16-1996

BSM75GB170DN2 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • IGBT Silicon Modules

  • Dual

  • 1700 V

  • 110 A

  • + 150 C

  • 34MM

  • +/- 20 V

  • - 40 C

  • Screw

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