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BSM50GD120DN2E3226 Datasheet

  • BSM50GD120DN2E3226

  • IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Includin...

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  • INFINEON   INFINEON

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BSM 50 GD120DN2E3226
IGBT Power Module
鈥?Power module
鈥?3-phase full-bridge
鈥?Including fast free-wheel diodes
鈥?Package with insulated metal base plate
鈥?E3226: long terminals, limited current per terminal
Type
BSM 50 GD120DN2E3226
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
V
CE
I
C
Package
ECONOPACK 2
Ordering Code
C67070-A2514-A67
1200V 50A
Symbol
Values
1200
1200
Unit
V
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
鹵 20
A
50
45
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
I
Cpuls
100
90
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Power dissipation per IGBT
P
tot
350
W
+ 150
-55 ... + 150
鈮?/div>
0.35
鈮?/div>
0.7
2500
16
11
F
55 / 150 / 56
Jan-10-1997
sec
Vac
mm
K/W
擄C
T
C
= 25 擄C
Chip temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Semiconductor Group
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
1

BSM50GD120DN2E3226 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • IGBT Silicon Modules

  • Hex

  • 1200 V

  • 2.5 V

  • 50 A

  • 200 nA

  • 350 W

  • + 150 C

  • EconoPACK 2

  • Reel

  • 20 V

  • Screw

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