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BSM25GD120D2 Datasheet

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BSM 25 GD 120 D2
IGBT Power Module
鈥?Power module
鈥?3-phase full-bridge
鈥?Including fast free-wheel diodes
鈥?Package with insulated metal base plate
Type
BSM 25 GD 120 D2
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
Symbol
Values
1200
1200
Unit
V
V
CE
I
C
Package
SIXPACK 1
Ordering Code
C67076-A2505-A17
1200V 35A
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
鹵 20
A
35
25
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
I
Cpuls
70
50
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Power dissipation per IGBT
P
tot
200
W
+ 150
-55 ... + 150
鈮?/div>
0.6
鈮?/div>
1
2500
16
11
F
55 / 150 / 56
sec
Vac
mm
K/W
擄C
T
C
= 25 擄C
Chip temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
Semiconductor Group
1
Feb-10-1997

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