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BSM200GB120DN2 Datasheet

  • BSM200GB120DN2

  • IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling ...

  • 134.58KB

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BSM 200 GB 120 DN2
IGBT Power Module
鈥?Half-bridge
鈥?Including fast free-wheeling diodes
鈥?Package with insulated metal base plate
Type
BSM 200 GB 120 DN2
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
V
CE
I
C
Package
HALF-BRIDGE 2
Ordering Code
C67070-A2300-A70
1200V 290A
Symbol
Values
1200
1200
Unit
V
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
鹵 20
A
290
200
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
I
Cpuls
580
400
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Power dissipation per IGBT
P
tot
1400
W
+ 150
-55 ... + 150
鈮?/div>
0.09
鈮?/div>
0.18
2500
20
11
F
55 / 150 / 56
-
Vac
mm
K/W
擄C
T
C
= 25 擄C
Chip temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
Semiconductor Group
1
Mar-29-1996

BSM200GB120DN2 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • IGBT 模塊

  • IGBT Silicon Modules

  • Half Bridge Module

  • 1200 V

  • 2.5 V

  • 290 A

  • 400 nA

  • 1.4 KW

  • + 150 C

  • Half Bridge2

  • 20 V

  • Screw

  • 500

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