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BSM100GD120DLC Datasheet

  • BSM100GD120DLC

  • IGBT-Module

  • 8頁(yè)

  • EUPEC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM100GD120DLC
H枚chstzul盲ssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
2
I t - value, Diode
Isolations-Pr眉fspannung
insulation test voltage
t
P
= 1 ms
T
C
= 80 擄C
T
C
= 25 擄C
t
P
= 1 ms, T
C
= 80擄C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
1200
100
160
200
V
A
A
A
T
C
=25擄C, Transistor
P
tot
650
W
V
GES
+/- 20V
V
I
F
100
A
I
FRM
200
A
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125擄C
2
I t
1,71
kA
2
s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter S盲ttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazit盲t
input capacitance
R眉ckwirkungskapazit盲t
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
I
C
= 100A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25擄C
I
C
= 100A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125擄C
I
C
= 4mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25擄C
V
GE(th)
V
CE sat
min.
-
-
4,5
typ.
2,1
2,4
5,5
max.
2,6
2,9
6,5
V
V
V
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
-
1,1
-
碌C
f = 1MHz,T
vj
= 25擄C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
6,5
-
nF
f = 1MHz,T
vj
= 25擄C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25擄C
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125擄C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25擄C
C
res
I
CES
-
-
-
0,42
10
500
-
-
500
-
400
nF
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
nA
I
GES
-
prepared by: Mark M眉nzer
approved by: M. Hierholzer
date of publication: 09.09.1999
revision: 2
1(8)
Seriendatenblatt_BSM100GD120DLC.xls

BSM100GD120DLC 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • IGBT 模塊

  • IGBT Silicon Modules

  • Hex

  • 1200 V

  • 2.1 V

  • 160 A

  • 400 nA

  • 650 W

  • + 125 C

  • EconoPACK 3A

  • +/- 20 V

  • - 40 C

  • Screw

  • 500

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