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BRF91 Datasheet

  • BRF91

  • RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

  • 5頁(yè)

  • MICROSEMI

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
BFR91
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
High Current-Gain 鈥?Bandwidth Product, fT = 5 GHz (typ) @ IC = 30 mA
Low Noise Figure 鈥?NF = 1.9 dB (typ) @ f = 0.5 GHz, 2.5 dB (typ) @ 1GHz
High Power Gain 鈥?Gmax = 16 dB (typ) @ f = 0.5 GHz, 10.9dB (typ) @ 1GHz
Macro T
(STYLE #2)
DESCRIPTION:
Designed primarily for use in high-gain, low noise, small-signal amplifiers. Also used in
applications requiring fast switching times.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
擄
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
12
15
3.0
35
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TA = 60潞C
Derate above 60潞C
Storage Temperature
-65 to +150
潞C
潞C/W
Total Device Dissipation @ TA = 60潞C
Derate above 60潞C
180
2.0
mWatts
mW/
潞C
Tstg
R
胃
JA
500
MSC1308.PDF 10-25-99

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    MICROSEMI
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