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BR34E02-W Datasheet

  • BR34E02-W

  • Rohm [DDR/DDR2 (For memory module) SPD Memory]

  • ROHM

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TECHNICAL NOTE
Double-cell Memory for Plug & Play
DDR/DDR2
(For memory module) SPD Memory
BR34E02-W
鈼廌escription
BR34E02FVT-W is 256脳8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect)
鈼廎eatures
銉?56脳8
bit architecture serial EEPROM
銉籛ide
operating voltage range: 1.7V-3.6V
銉籘wo-wire
serial interface
銉籋igh
reliability connection using Au pads and Au wires
銉籗elf-Timed
Erase and Write Cycle
銉籔age
Write Function (16byte)
銉籛rite
Protect Mode
Settable Reversible Write Protect Function: 00h-7Fh
Write Protect 1 (Onetime Rom)
: 00h-7Fh
Write Protect 2 (Hardwire WP PIN)
: 00h-FFh
銉籐ow
Power consumption
Write
(at 1.7V ) : 0.4mA (typ.)
Read
(at 1.7V ) : 0.1mA(typ.)
Standby ( at 1.7V ) : 0.1渭A(typ.)
銉籇ATA
security
Write protect feature (WP pin)
Inhibit to WRITE at low V
CC
銉籆ompact
package: TSSOP-B8, VSON008X2030
銉籋igh
reliability fine pattern CMOS technology
銉籖ewriting
possible up to 1,000,000 times
銉籇ata
retention: 40 years
銉籒oise
reduction Filtered inputs in SCL / SDA
銉籌nitial
data FFh at all addresses
鈼廈R34E02-W
Series
Capacity Bit format
2Kbit
256X8
Type
BR34E02-W
Power Source Voltage
1.7V錕?frac12;錕?.6V
TSSOP-B8
鈼?/div>
VSON008X2030
鈼?/div>
Ver.A Aug.2007

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
    GOOD-ARK
  • 英文版
    3.0A BRIDGE RECTIFIERS
    LRC
  • 英文版
    SINGLE PHASE 3.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
    BYTES
  • 英文版
    SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
    RECTRON
  • 英文版
    TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECT...
    DCCOM
  • 英文版
    SINGLE PHASE 3.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
    FORMOSA
  • 英文版
    SINGLE PHASE 3.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
    UNIOHM
  • 英文版
    Molded Plastic VOLTAGE RANGE: 50 - 1000V SINGLE-PHASE BR...
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  • 英文版
    泰迪斯電子
  • 英文版
    3.0A BRIDGE RECTIFIERS
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