BP104S Datasheet

IC型號：
BP104S
PDF描述：
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode, New: Silicon PIN Photodiode
文件大小：
50.26KB
PDF頁數(shù)：
4頁
芯片廠家：
INFINEON

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Neu: Silizium-PIN-Fotodiode

New: Silicon PIN Photodiode

BP 104 S

Chip position

0...0.1

1.2

1.1

0.3

1.1

0.9

0.2

0.1

6.7

6.2

4.5

4.3

1.6

鹵0.2

0.9

0.7

GEO06861

Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Speziell geeignet f眉r Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1100 nm

Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

geeignet f眉r Vapor-Phase L枚ten und IR-

Reflow-L枚ten

SMT-f盲hig

Anwendungen

Lichtschranken f眉r Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

IR-Fernsteuerungen

Industrieelektronik

鈥淢essen/Steuern/Regeln鈥?/div>

Features

Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm

Short switching time (typ. 20 ns)

Suitable for vapor-phase and IR-reflow

soldering

Suitable for SMT

Applications

Photointerrupters

IR remote controls

Industrial electronics

For control and drive circuits

Typ

Type

BP 104 S

Bestellnummer

Ordering Code

Q62702-P1605

Semiconductor Group

1997-11-19

feo06862

Photosensitive area

2.20 mm x 2.20 mm

Cathode lead

4.0

3.7

1.7

1.5

0...5

藲

現(xiàn)有數(shù)量
1,870現(xiàn)貨
價格
1 : ￥10.20000管件
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
波長
950nm
顏色 - 增強
-
頻譜范圍
870nm ~ 1050nm
二極管類型
引腳
不同 nm 時響應(yīng)度
-
響應(yīng)時間
100ns
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）
60 V
電流 - 暗（典型值）
2nA
有效面積
7.5mm2
視角
130°
工作溫度
-40°C ~ 100°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
2-DIP

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型號

版本

描述

廠商

下載
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