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BLV31 Datasheet

  • BLV31

  • NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

  • 1頁(yè)

  • ASI

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BLV31
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
PACKAGE STYLE .280 4L STUD
DESCRIPTION:
The
ASI BLV31
is Designed for use
in VHF amplifiers
B
A
45擄
C
E
B
E
FEATURES:
鈥?/div>
P
G
= 16.5 dB Typical at 224 MHz
鈥?/div>
Omnigold鈩?/div>
Metallization System
F
G
D
E
C
J
I
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
STG
JC
3A
60 V
48 W @ T
C
= 25 C
-65 C to +200 C
-65 C to +150 C
3.5 C/W
O
O
O
O
O
O
D IM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
.1 7 5 / 4 .4 5
.2 7 5 / 6 .9 9
.2 4 5 / 6 .2 2
M I N IM U M
in c h e s / m m
H
K
# 8 -3 2 U N C
M A X IM U M
in c h e s / m m
1 . 0 1 0 / 2 5 .6 5
.2 2 0 / 5 .5 9
.2 7 0 / 6 .8 6
.0 0 3 / 0 .0 8
.1 1 7 / 2 .9 7
.5 7 2 / 1 4 . 5 3
.1 3 0 / 3 .3 0
1 . 0 5 5 / 2 6 .8 0
.2 3 0 / 5 .8 4
.2 8 5 / 7 .2 4
.0 0 7 / 0 .1 8
.1 3 7 / 3 .4 8
.2 5 5 / 6 .4 8
.6 4 0 / 1 6 . 2 6
.2 1 7 / 5 .5 1
.2 8 5 / 7 .2 4
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
OUT
T
C
= 25 C
O
TEST CONDITIONS
I
C
= 100 mA
I
C
= 25mA
I
E
= 10 mA
V
CE
= 25 V
V
CB
= 25 V
V
CE
= 25 V
F = 224 MHz
I
C
= 800 mA
O
T= 70
C
I
C
= 800 mA
f = 1.0 MHz
P
IN
= 2.5 W
V
BE
= 0 V
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
30
60
4
15
75
35
5.0
15
7.0*
16.5*
120
UNITS
V
V
V
---
pF
W
dB
P
G
* @ 25
C
O
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
鈥?/div>
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
鈥?/div>
(818) 982-1200
鈥?/div>
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV 0
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    ASI
  • 英文版
    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
    ASI [Advan...
  • 英文版
    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
    ASI
  • 英文版
    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
    ASI [Advan...
  • 英文版
    VHF linear power transistor
    PHILIPS
  • 英文版
    VHF linear power transistor
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
    ASI
  • 英文版
    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
    ASI [Advan...
  • 英文版
    VHF linear power transistor
    PHILIPS
  • 英文版
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    ASI
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