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BLS2933-100 Datasheet

  • BLS2933-100

  • Microwave power LDMOS transistor

  • 81.04KB

  • 12頁(yè)

  • PHILIPS

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BLS2933-100
Microwave power LDMOS transistor
Rev. 01 鈥?1 August 2006
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
100 W LDMOS power transistor (at a supply voltage of 32 V) for S-band radar applications
in the 2.9 GHz to 3.3 GHz frequency range.
Table 1:
Typical performance
t
p
= 200
碌
s;
未
= 12 %; T
case
= 25
擄
C; in a class-AB production test circuit.
Mode of operation
class AB
f
(GHz)
2.9 to 3.3
V
DS
(V)
32
P
L
(W)
100
G
p
(dB)
8
畏
D
(%)
40
I
Dq
(mA)
20
CAUTION
This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken
during transport and handling.
1.2 Features
I
I
I
I
I
I
Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (2.9 GHz to 3.3 GHz)
Internally matched for ease of use
1.3 Applications
I
S-band radar applications

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