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BDX33 Datasheet

  • BDX33

  • Power Linear and Switching Applications

  • 5頁

  • FAIRCHILD

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BDX33/A/B/C
BDX33/A/B/C
Power Linear and Switching Applications
鈥?High Gain General Purpose
鈥?Power Darlington TR
鈥?Complement to BDX34/34A/34B/34C respectively
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
: BDX33
: BDX33A
: BDX33B
: BDX33C
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: BDX33
: BDX33A
: BDX33B
: BDX33C
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
45
60
80
100
45
60
80
100
10
15
0.25
70
150
- 65 ~ 150
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
擄C
擄C
Parameter
Value
Units
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
漏2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000

BDX33 產品屬性

  • Bourns

  • Transistors Darlington

  • Single

  • NPN

  • 45 V

  • 5 V

  • 45 V

  • 10 A

  • 1000 uA

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-220

  • 750

  • - 65 C

  • 50

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