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BDX20 Datasheet

  • BDX20

  • PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE

  • 2頁

  • ETC

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BDX20
PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE
LF Large Signal Power Amplification
High Current Fast Switching
Thermal Fatigue Inspection
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
CEX
V
EBO
Collector to Base Voltage
Ratings
Value
-60
-140
V
BE
=1.5 V
Unit
V
V
V
V
A
A
Watts
擄C
擄C
#Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current 鈥?Continuous
Base Current 鈥?Continuous
Total Device Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
-160
-7
-10
-7
117
200
-65 to
+200
I
C
I
B
P
TOT
T
J
T
S
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
R
thJC
Ratings
Thermal Resistance, Junction to Case
Value
1.5
Unit
擄C/W
COMSET SEMICONDUCTORS
1/2

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