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BD911 Datasheet

  • BD911

  • COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

  • 100.14KB

  • 6頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
BD909/911
BD910/912
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
DESCRIPTION
The BD909 and BD911 are silicon Epitaxial-Base
NPN power transistors mounted in Jedec TO-220
plastic package. They are intented for use in
power linear and switching applications.
The complementary PNP types are BD910 and
BD912 respectively.
TO-220
3
1
2
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
NPN
PNP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
E
,I
C
I
B
P
tot
T
s tg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
T otal Dissipation at T
c
鈮?/div>
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
BD909
BD910
80
80
5
15
5
90
-65 to 150
150
Value
BD911
BD912
100
100
V
V
V
A
A
W
o
o
Un it
C
C
For PNP types voltage and current values are negative.
October 1999
1/6

BD911 產(chǎn)品屬性

  • BD911 View All Specifications

  • 50

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 15A

  • 100V

  • 3V @ 2.5A，10A

  • 1mA

  • 15 @ 5A，4V

  • 90W

  • 3MHz

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • 497-6659-5BD911-ND

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS
    BOCA
  • 英文版
    COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
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    POWER TRANSISTORS(15A,90W)
    MOSPEC
  • 英文版
    Dated : 17/09/2016 Rev: 01 TOP DYNAMIC BD910 / BD912 P...
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    Silicon PNP Power Transistors
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