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BD683 Datasheet

  • BD683

  • SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

  • 3頁

  • ETC

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NPN BD683
PNP BD684
SILICON DARLINGTON POWER
TRANSISTORS
The BD683 is NPN eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio
and video applications.
They are mounted in Jedec TO-126 plastic package.
PNP complement is BD684.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base current (peak value)
Total power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Ratings
Value
120
140
5
I
C
I
CM
I
BM
@ T
mb
= 25擄C
4
6
0.1
Unit
V
V
V
A
A
Watts
擄C
擄C
I
C
I
B
P
T
T
J
T
Stg
40
150
-65 to +150
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
R
thJ-mb
R
thJ-a
Ratings
Thermal Resistance, Junction to mouting base
Thermal Resistance, Junction to ambient in free air
Value
3.12
100
Unit
K/W
K/W
COMSET SEMICONDUCTORS
1/3

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