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BD436 Datasheet

  • BD436

  • Medium Power Linear and Switching Applications

  • 46.12KB

  • 5頁(yè)

  • FAIRCHILD

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BD434/436/438
BD434/436/438
Medium Power Linear and Switching
Applications
鈥?Complement to BD433, BD435 and BD437 respectively
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1. Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
: BD434
: BD436
: BD438
V
CES
Collector-Emitter Voltage
: BD434
: BD436
: BD438
Collector-Emitter Voltage
: BD434
: BD436
: BD438
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
- 22
- 32
- 45
- 22
- 32
- 45
- 22
- 32
- 45
-5
-4
-7
-1
36
150
- 65 ~ 150
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
擄C
擄C
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001

BD436 產(chǎn)品屬性

  • BD436 View All Specifications

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 4A

  • 32V

  • 500mV @ 200mA，2A

  • 100µA

  • 40 @ 10mA，5V

  • 36W

  • 3MHz

  • 通孔

  • TO-225AA，TO-126-3

  • SOT-32-3

  • 管件

  • 497-7170-5BD436-ND

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