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BD157 Datasheet

  • BD157

  • Low Power Fast Switching Output Stages

  • 4頁

  • FAIRCHILD

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BD157/158/159
BD157/158/159
Low Power Fast Switching Output Stages
鈥?For T.V Radio Audio Output Amplifiers
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1. Emitter
NPN Epitxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
Parameter
: BD157
: BD158
: BD159
: BD157
: BD158
: BD159
Value
275
325
375
250
300
350
5
0.5
1.0
0.25
20
50
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
擄C
擄C
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
BV
CEO
Parameter
*Collector-Emitter Breakdown Voltage
: BD157
: BD158
: BD159
Collector Cut-off Current
: BD157
: BD158
: BD159
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
V
CB
= 275V, I
E
= 0
V
CB
= 325V, I
E
= 0
V
CB
= 375V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 50mA
30
100
100
100
100
240
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
Test Condition
I
C
= 1mA, I
B
= 0
Min.
250
300
350
Typ.
Max.
Units
V
V
V
I
CBO
* Pulse Test: PW=300碌s, duty Cycle=1.5% Pulsed
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001

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