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BD130 Datasheet

  • BD130

  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3

  • 3頁

  • ETC

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BD130
NPN SILICON TRANSISTOR
POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS
The BD130 is a silicon epitaxial-base NPN transistor in JEDEC TO-
3 metal case. It is intended for power switching circuits, series and
shunt regulators, output stages and high fidelity amplifiers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
CEX
I
C
I
B
P
T
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Ratings
Value
60
100
Unit
V
V
V
A
A
Watts
V
BE
=-1.5 V
100
15
7
@ T
C
= 45擄
100
T
J
Junction Temperature
-55 to +200
T
S
Storage Temperature
擄C
COMSET SEMICONDUCTORS
1/3

BD130 產(chǎn)品屬性

  • 5

  • 硬質(zhì)合金

  • 38mm

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