BCW70LT1 Datasheet

IC型號：
BCW70LT1
PDF描述：
General Purpose Transistors(PNP Silicon)
文件大?。?/label>
313.42KB
PDF頁數(shù)：
8頁
芯片廠家：
ONSEMI

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BCW70LT1

General Purpose

Transistors

PNP Silicon

http://onsemi.com

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector鈥揈mitter Voltage

Emitter鈥揃ase Voltage

Collector Current 鈥?Continuous

Symbol

VCEO

VEBO

Value

鈥?5

鈥?.0

鈥?00

Unit

Vdc

mAdc

EMITTER

Symbol

Max

225

1.8

胃JA

556

300

2.4

胃JA

TJ, Tstg

417

鈥?55 to

+150

Unit

mW/擄C

擄C/W

mW/擄C

擄C/W

擄C

SOT鈥?3 (TO鈥?36AB)

CASE 318

STYLE 6

BASE

COLLECTOR

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Total Device Dissipation FR-5 Board (1)

TA = 25擄C

Derate above 25擄C

Thermal Resistance,

Junction to Ambient

Total Device Dissipation

Alumina Substrate, (2) TA = 25擄C

Derate above 25擄C

Thermal Resistance,

Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

DEVICE MARKING

1. FR鈥? = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina

H2x

x = Monthly Date Code

ORDERING INFORMATION

Device

BCW70LT1

Package

SOT鈥?3

Shipping

3000 Units/Reel

Preferred

devices are recommended choices for future use

and best overall value.

漏

Semiconductor Components Industries, LLC, 1999

December, 1999 鈥?Rev. 0

Publication Order Number:

BCW70LT1/D

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
45V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
300mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
215 @ 2mA，5V
功率 - 最大
225mW
頻率 - 轉換
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)

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型號

版本

描述

廠商

下載
BCW70

英文版

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

DIOTEC

BCW70
BCW70

英文版

PNP general purpose transistors

PHILIPS

BCW70
BCW70

英文版

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BCW70
BCW70

英文版

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

KEC

BCW70
BCW70

英文版

SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS

BCW70
BCW70

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ETC

BCW70
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