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BCW66G Datasheet

  • BCW66G

  • SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS

  • 42.52KB

  • 4頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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BCW66
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
Type
BCW66F
BCW 66G
BCW 66H
s
Marking
EF
EG
EH
s
s
s
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR
APPLICATION IN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS
MEDIUM CURRENT AF AMPLIFICATION
AND SWITCHING
PNP COMPLEMENT IS BCW68
2
3
1
SOT-23
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
t ot
T
stg
T
j
Parameter
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
= 25 C
Storage Temperature
Max. O perating Junction Temperature
o
Value
75
45
5
0.8
1
0.1
360
-65 to 150
150
Uni t
V
V
V
A
A
A
mW
o
o
C
C
October 1997
1/4

BCW66G 產(chǎn)品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 1A

  • 45V

  • 700mV @ 50mA，500mA

  • 20nA

  • 160 @ 100mA，1V

  • 350mW

  • 100MHz

  • 表面貼裝

  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • SOT-23-3

  • 帶卷 (TR)

  • BCW66G-NDBCW66GTR

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