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BCW30LT1 Datasheet

  • BCW30LT1

  • General Purpose Transistors(PNP Silicon)

  • 8頁

  • ONSEMI

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BCW30LT1
General Purpose
Transistors
PNP Silicon
http://onsemi.com
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current 鈥?Continuous
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
Value
鈥?2
鈥?2
鈥?.0
鈥?00
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
1
BASE
COLLECTOR
3
2
EMITTER
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation
FR-5 Board(1)
TA = 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
(1) FR鈥?5 = 1.0
0.75
(2) Alumina = 0.4
0.3
Symbol
PD
225
1
1.8
R
胃JA
PD
556
300
2.4
R
胃JA
TJ, Tstg
417
鈥?5 to
+150
mW/擄C
擄C/W
mW
mW/擄C
擄C/W
擄C
C2x
SOT鈥?3 (TO鈥?36AB)
CASE 318
STYLE 6
2
Value
Unit
mW
3
DEVICE MARKING


0.062 in.
 
0.024 in. 99.5% alumina.
x = Monthly Date Code
ORDERING INFORMATION
Device
BCW30LT1
Package
SOT鈥?3
Shipping
3000 Units/Rail
漏
Semiconductor Components Industries, LLC, 1999
1
November, 1999 鈥?Rev. 0
Publication Order Number:
BCW30LT1/D

BCW30LT1 產(chǎn)品屬性

  • ON Semiconductor

  • Transistors Bipolar (BJT)

  • PNP

  • 32 V

  • 5 V

  • 0.1 A

  • 215 at 2 mA at 5 V

  • Single

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • SOT-23-3

  • Reel

  • - 0.1 A

  • - 55 C

  • 225 mW

  • 3000

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