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BCV61CQ62702-C2157 Datasheet

  • BCV61CQ62702-C2157

  • TRANSISTOR DUAL SOT 143 5ST

  • 5頁

  • ETC

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BCV 61
NPN Silicon Double Transistor
鈥?/div>
To be used as a current mirror
鈥?/div>
Good thermal coupling and
V
BE
matching
鈥?/div>
High current gain
鈥?/div>
Low collector-emitter saturation voltage
C1 (2)
C2 (1)
3
4
2
1
Tr.1
Tr.2
VPS05178
E1 (3)
E2 (4)
EHA00012
Type
BCV 61A
BCV 61B
BCV 61C
Maximum Ratings
Parameter
Marking
1Js
1Ks
1Ls
1 = C2
1 = C2
1 = C2
Pin Configuration
2 = C1
2 = C1
2 = C1
3 = E1
3 = E1
3 = E1
4 = E2
4 = E2
4 = E2
Package
SOT-143
SOT-143
SOT-143
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBS
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
Value
30
30
6
100
200
200
300
150
-65 ... 150
Unit
V
Collector-emitter voltage
(transistor T1)
Collector-base voltage (open emitter)
(transistor T1)
Emitter-base voltage
DC collector current
Peak collector current
Base peak current (transistor T1)
Total power dissipation,
T
S
= 99 擄C
Junction temperature
Storage temperature
mA
mW
擄C
Thermal Resistance
Junction ambient
1)
Junction - soldering point
R
thJA
R
thJS
鈮?40
鈮?70
K/W
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm2 Cu
1
Sep-30-1999

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    SIEMENS [S...
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    INFINEON [...
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    PHILIPS [P...
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    PHILIPS [P...
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    PHILIPS
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    PHILIPS [P...
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    PHILIPS [P...
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