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BCU83-SMD Datasheet

  • BCU83-SMD

  • NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

  • 2頁

  • SEME-LAB

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BCU83鈥揝MD
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
NPN EPITAXIAL PLANAR
SILICON TRANSISTOR
4 .5
1 .6
1 .5
Ideal for high current driver applications
requiring low loss devices
4 .2 5 m a x .
2 .5
FEATURES
鈥?LOW V
CE(SAT)
鈥?HIGH CURRENT
鈥?HIGH ENERGY RATING
0 .4 0
0 .5 0
1 .5
3 .0
-
+
*
1 .0
0 .4 0
APPLICATIONS
鈥?ANY HIGH CURRENT DRIVER
APPLICATIONS REQUIRING
SOT89
EFFICIENT LOW LOSS DEVICES
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
C(PK)
P
tot
T
stg
T
j
Collector 鈥?Emitter voltage
Collector 鈥?Base voltage
Emitter 鈥?Base voltage
Collector current
Peak Collector current
Total Dissipation at T
case
= 25擄C
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
Telephone +44(0)1455 554711.
Fax +44(0)1455 558843.
E-mail:
magnatec@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
20V
60V
6V
5A
8A
0.9W
鈥?5 to 150擄C
150擄C
Prelim. 1/94
Magnatec.

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