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BCR5KM Datasheet

  • BCR5KM

  • MEDIUM POWER USE INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

  • 5頁(yè)

  • MITSUBISHI   MITSUBISHI

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR
鈱㏕RIAC鈱?/div>
BCR5KM
MEDIUM POWER USE
INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
BCR5KM
OUTLINE DRAWING
10
鹵
0.3
6.5
鹵
0.3
3
鹵
0.3
Dimensions in mm
2.8
鹵
0.2
15
鹵
0.3
蠁
3.2
鹵
0.2
14
鹵
0.5
3.6
鹵
0.3
1.1
鹵
0.2
1.1
鹵
0.2
0.75
鹵
0.15
E
0.75
鹵
0.15
2.54
鹵
0.25
2.54
鹵
0.25
4.5
鹵
0.2
聦聧聨
2.6
鹵
0.2
V
Measurement point of
case temperature
聧
.................................................................. 5A
q
V
DRM
...................................................... 400V / 600V
q
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
................... 15mA (10mA)
V2
q
I
T (RMS)
q
UL
聦
聦
T
1
TERMINAL
聧
T
2
TERMINAL
聨 聨
GATE TERMINAL
Recognized : File No. E80271
TO-220FN
APPLICATION
Control of heater such as electric rice cooker, electric pot
MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DRM
V
DSM
Parameter
Repetitive peak off-state voltage
V1
Non-repetitive peak off-state
voltage
V1
Voltage class
8
400
500
12
600
720
Unit
V
V
Symbol
I
T (RMS)
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G (AV)
V
GM
I
GM
T
j
T
stg
鈥?/div>
V
iso
Parameter
RMS on-state current
Surge on-state current
I
2t
for fusing
Peak gate power dissipation
Average gate power dissipation
Peak gate voltage
Peak gate current
Junction temperature
Storage temperature
Weight
Isolation voltage
Conditions
Commercial frequency, sine full wave 360擄 conduction, Tc=103擄C
60Hz sinewave 1 full cycle, peak value, non-repetitive
Value corresponding to 1 cycle of half wave 60Hz, surge on-state
current
Ratings
5
50
10.4
3
0.3
10
2
鈥?0 ~ +125
鈥?0 ~ +125
2.0
Unit
A
A
A
2
s
W
W
V
A
擄C
擄C
g
V
Feb.1999
T
a
=25擄C, AC 1 minute, T
1
路 T
2
路 G terminal to case
2000
V1.
Gate open.

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Mitsubishi Electric Semiconductor [MEDIUM POWER USE NON-INS...
    MITSUBISHI
  • 英文版
    NPN Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    NPN Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    NPN Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    NPN Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    NPN Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    NPN Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    NPN Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    PNP Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    PNP Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    PNP Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    PNP Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    PNP Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    PNP Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    PNP Silicon Digital Transistor
    Infineon
  • 英文版
    Triac 5 Amperes/400-600 Volts
    POWEREX
  • 英文版
    MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
    MITSUBISHI
  • 英文版
    MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
    MITSUBISHI ...
  • 英文版
    MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
    MITSUBISHI
  • 英文版
    Surface Mount Triac 5 Amperes/400-600 Volts
    POWEREX

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