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BCP869 Datasheet

  • BCP869

  • TRANSISTOR (PNP)

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BCP869
BC869
TRANSISTOR (PNP)
SOT-89
1. BASE
FEATURES
Power dissipation
P
CM:
Collector current
I
CM:
Collector-base voltage
V
(BR)CBO:
500
-2
-32
mW (Tamb=25鈩?
A
V
2. COLLECTOR
3. EMITTER
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -65鈩?to +150鈩?/div>
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25鈩?/div>
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
unless otherwise specified)
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
Test
conditions
MIN
-32
-20
-5
-0.1
-0.1
50
100
60
100
160
MAX
UNIT
V
V
V
碌A
碌A
Ic=-0.1mA, I
E
=0
I
C
= -1mA , I
B
=0
I
E
=-0.1mA, I
C
=0
V
CB
=-25V, I
E
=0
V
EB
=-5V, I
C
=0
V
CE
=-10V, I
C
= -5mA
V
CE
=-1V, I
C
= -500mA
V
CE
=-1V, I
C
= -1A
V
CE
=-1V, I
C
= -500mA
I
C
=-1A, I
B
= -100mA
V
CE
=-5V, I
C
=-10mA
DC current gain
BC869-16
BC869-25
Collector-emitter saturation voltage
h
FE(1)
375
h
FE(2)
V
CE(sat)
250
375
0.5
V
Transition frequency
f
T
f =
100MHz
40
MHz
DEVICE MARKING
BC869=CEC
BC869-16=CGC
BC869-25=CHC
WEJ ELECTRONIC CO.
Http:// www.wej.cn
E-mail:wej@yongerjia.com

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