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BC858CLT1G Datasheet

  • BC858CLT1G

  • ON Semiconductor [General Purpose Transistors]

  • 112.60KB

  • ONSEMI

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

BC856ALT1 Series
Preferred Devices
General Purpose
Transistors
PNP Silicon
Features
http://onsemi.com
鈥?/div>
Pb鈭扚ree Packages are Available
COLLECTOR
3
1
BASE
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25擄C unless otherwise noted)
Rating
Collector-Emitter Voltage
BC856
BC857
BC858, BC859
BC856
BC857
BC858, BC859
Symbol
V
CEO
Value
鈭?5
鈭?5
鈭?0
鈭?0
鈭?0
鈭?0
鈭?.0
鈭?00
Unit
V
2
EMITTER
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
1
V
mAdc
2
3
SOT鈭?3
CASE 318
STYLE 6
Emitter鈭払ase Voltage
Collector Current 鈭?Continuous
V
EBO
I
C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur
and reliability may be affected.
MARKING DIAGRAM
3
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR鈭?5 Board,
(Note 1) T
A
= 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance,
Junction鈭抰o鈭扐mbient
Total Device Dissipation Alumina
Substrate, (Note 2) T
A
= 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance,
Junction鈭抰o鈭扐mbient
Junction and Storage Temperature
Symbol
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
stg
417
鈭?5 to
+150
mW
mW/擄C
擄C/W
擄C
556
mW
mW/擄C
擄C/W
Max
Unit
1
xxM
2
xx = Device Code
M = Date Code
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 6 of this data sheet.
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
1. FR鈭? = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.
漏
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
1
June, 2004 鈭?Rev. 8
Publication Order Number:
BC856ALT1/D

BC858CLT1G PDF文件相關(guān)型號(hào)

BC858CLT3,BC858CLT3G

BC858CLT1G 產(chǎn)品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 100mA

  • 30V

  • 650mV @ 5mA，100mA

  • -

  • 420 @ 2mA，5V

  • 225mW

  • 100MHz

  • 表面貼裝

  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • SOT-23-3（TO-236）

  • 帶卷 (TR)

  • BC858CLT1GOSTR

BC858CLT1G相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    SOT23 NPN SILICON PLANAR
    ZETEX
  • 英文版
    SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
    ETC
  • 英文版
    Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
    DIOTEC
  • 英文版
    PNP Silicon AF Transistors
    INFINEON
  • 英文版
    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
    KEC
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
    FAIRCHILD
  • 英文版
    TD
  • 英文版
    NPN General Purpose Transistors
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN general purpose transistors
    Philips
  • 英文版
    Small Signal Transistors (PNP)
    VISHAY
  • 英文版
    SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
    ETC
  • 英文版
    SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
    CENTRAL
  • 英文版
    SOT23 NPN SILICON PLANAR
    ZETEX
  • 英文版
    TD
  • 英文版
    TRANSISTOR (PNP)
    金譽(yù)
  • 英文版
    PNP General Purpose Transistor
    永裕泰
  • 英文版
    PNP General Purpose Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    PNP general purpose transistors
    Philips
  • 英文版
    SOT23 NPN SILICON PLANAR
    ZETEX
  • 英文版
    SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
    ETC

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