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BC857T

PNP Silicon AF Transistor

For AF input stages and driver applications

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary types: BC847...T

3



2

1

VPS05996

Type

BC857AT

BC857BT

Maximum Ratings

Parameter

Marking

3Es

3Fs

1=B

1=B

Pin Configuration

2=E

2=E

3=C

3=C

Package

SC75

SC75

Symbol

V

CEO

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

P

tot

T

j

T

stg

Value

45

50

50

5

100

200

250

150

-65 ... 150

Unit

V

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Total power dissipation,

T

S

= 109 擄C

Junction temperature

Storage temperature

mA

mW

擄C

Thermal Resistance

Junction - soldering point

1)

R

thJS

165

K/W

1For calculation of

R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

1

Nov-29-2001

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