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BC856BDW1T1 Datasheet

  • BC856BDW1T1

  • Dual General Purpose Transistors(PNP Duals)

  • 5頁

  • LRC

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Dual General Purpose Transistors
PNP Duals
These transistors are designed for general purpose amplifier
applications. They are housed in the SOT鈥?63/SC鈥?8 which is
designed for low power surface mount applications.
6
5
4
BC856BDW1T1
BC857BDW1T1
BC857CDW1T1
BC858BDW1T1
BC858CDW1T1
6
5
4
Q
2
Q
1
See Table
1
1
2
3
2
3
SOT鈥?63/SC鈥?8
CASE 419B STYLE 1
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector鈥揈mitter Voltage
Collector鈥揃ase Voltage
Emitter鈥揃ase Voltage
Collector Current -Continuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
BC856
鈥?5
鈥?0
鈥?.0
鈥?00
BC857
鈥?5
鈥?0
鈥?.0
鈥?00
BC858
鈥?0
鈥?0
鈥?.0
鈥?00
Unit
V
V
V
mAdc
I
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation
Per Device
FR鈥?5 Board, (1) T
A
= 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
1. FR鈥? = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
R
胃JA
T
J
, T
stg
Symbol
P
D
Max
380
250
3.0
328
鈥?5 to +150
Unit
mW
mW
mW/擄C
擄C/W
擄C
ORDERING INFORMATION
Device
BC856BDW1T1
BC857BDW1T1
BC857CDW1T1
BC858BDW1T1
BC858CDW1T1
Package
SOT鈥?63
SOT鈥?63
SOT鈥?63
SOT鈥?63
SOT鈥?63
Shipping
3000 Units/Reel
3000 Units/Reel
3000 Units/Reel
3000 Units/Reel
3000 Units/Reel
BC856b鈥?/5

BC856BDW1T1 產品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導體產品

  • 晶體管(BJT) - 陣列

  • -

  • 2 PNP(雙)

  • 100mA

  • 65V

  • 650mV @ 5mA,100mA

  • -

  • 220 @ 2mA,5V

  • 380mW

  • 100MHz

  • 表面貼裝

  • 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • SOT-363

  • 帶卷 (TR)

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