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BC640ZL1 Datasheet

  • BC640ZL1

  • High Current Transistors

  • 4頁

  • ONSEMI

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BC636, BC636-16, BC638,
BC640, BC640-16
High Current Transistors
PNP Silicon
http://onsemi.com
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
BC636
BC638
BC640
Collector-Base Voltage
BC636
BC638
BC640
Emitter-Base Voltage
Collector Current 鈥?Continuous
Total Device Dissipation
@ TA = 25擄C
Derate above 25擄C
Total Device Dissipation
@ TC = 25擄C
Derate above 25擄C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
VEBO
IC
PD
625
5.0
PD
1.5
12
TJ, Tstg
鈥?5 to
+150
Watts
mW/擄C
擄C
mW
mW/擄C
1
VCBO
鈥?5
鈥?0
鈥?0
鈥?.0
鈥?.5
Vdc
Adc
Symbol
VCEO
鈥?5
鈥?0
鈥?0
Vdc
Value
Unit
Vdc
3
BASE
COLLECTOR
2
1
EMITTER
2
3
CASE 29
TO鈥?2
STYLE 14
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
Thermal Resistance,
Junction to Case
Symbol
R
胃JA
R
胃JC
Max
200
83.3
Unit
擄C/W
ORDERING INFORMATION
擄C/W
Device
BC636
BC636ZL1
BC636鈥?6ZL1
BC638
BC638ZL1
BC640
BC640ZL1
BC640鈥?6
Package
TO鈥?2
TO鈥?2
TO鈥?2
TO鈥?2
TO鈥?2
TO鈥?2
TO鈥?2
TO鈥?2
Shipping
5000 Units/Box
2000/Ammo Pack
2000/Ammo Pack
5000 Units/Box
2000/Ammo Pack
5000 Units/Box
2000/Ammo Pack
5000 Units/Box
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
June, 2000 鈥?Rev. 1
Publication Order Number:
BC636/D

BC640ZL1 產(chǎn)品屬性

  • 2,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 500mA

  • 80V

  • 500mV @ 50mA,500mA

  • -

  • 40 @ 150mA,2V

  • 625mW

  • 150MHz

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線

  • TO-92-3

  • 帶盒(TB)

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