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BC546 Datasheet

  • BC546

  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

  • 4頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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BC546/547/548/549/550
BC546/547/548/549/550
Switching and Applications
鈥?High Voltage: BC546, V
CEO
=65V
鈥?Low Noise: BC549, BC550
鈥?Complement to BC556 ... BC560
1
TO-92
1. Collector 2. Base 3. Emitter
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
Parameter
: BC546
: BC547/550
: BC548/549
Value
80
50
30
65
45
30
6
5
100
500
150
-65 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
V
CEO
Collector-Emitter Voltage : BC546
: BC547/550
: BC548/549
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
: BC546/547
: BC548/549/550
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Electrical Characteristics
T
a
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
I
CBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
C
ib
NF
Parameter
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Input Capacitance
Noise Figure
: BC546/547/548
: BC549/550
: BC549
: BC550
Test Condition
V
CB
=30V, I
E
=0
V
CE
=5V, I
C
=2mA
I
C
=10mA, I
B
=0.5mA
I
C
=100mA, I
B
=5mA
I
C
=10mA, I
B
=0.5mA
I
C
=100mA, I
B
=5mA
V
CE
=5V, I
C
=2mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
EB
=0.5V, I
C
=0, f=1MHz
V
CE
=5V, I
C
=200碌A(chǔ)
f=1KHz, R
G
=2K鈩?/div>
V
CE
=5V, I
C
=200碌A(chǔ)
R
G
=2K鈩? f=30~15000MHz
580
Min.
110
90
200
700
900
660
300
3.5
9
2
1.2
1.4
1.4
10
4
4
3
6
700
720
Typ.
Max.
15
800
250
600
mV
mV
mV
mV
mV
mV
MHz
pF
pF
dB
dB
dB
dB
Units
nA
h
FE
Classification
Classification
h
FE
漏2002 Fairchild Semiconductor Corporation
A
110 ~ 220
B
200 ~ 450
C
420 ~ 800
Rev. A2, August 2002

BC546 產(chǎn)品屬性

  • 2,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 100mA

  • 65V

  • 600mV @ 5mA，100mA

  • -

  • 110 @ 2mA，5V

  • 500mW

  • 300MHz

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

  • TO-92-3

  • 散裝

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Mini size of Discrete semiconductor elements
    ETC
  • 英文版
    NPN Silicon Transistors
    INFINEON
  • 英文版
    Small Signal Transistors (NPN)
    VISHAY
  • 英文版
    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
    KEC
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
    SEMTECH
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
    FAIRCHILD
  • 英文版
    NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    MICRO-ELECTRONI...
  • 英文版
    Amplifier Transistors
    MOTOROLA
  • 英文版
    Amplifier Transistors(NPN Silicon)
    ONSEMI
  • 英文版
    NPN general purpose transistors
    PHILIPS
  • 英文版
    NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW
    MCC
  • 英文版
    Si-Epitaxial PlanarTransistors
    DIOTEC
  • 英文版
    Amplifier Transistors
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    Amplifier Transistors(NPN Silicon)
    ONSEMI [ON...
  • 英文版
    Mini size of Discrete semiconductor elements
    ETC [ETC]
  • 英文版
    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
    KEC [KEC(K...
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW
    MCC [Micro...
  • 英文版
    NPN general purpose transistors
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    Small Signal Transistors (NPN)
    GE [Genera...

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